Samsung анонсировала низкоэнергоемкую высокоскоростную мобильную DRAM
Samsung анонсировала новую динамическую память с интерфейсом wide I/O, предназначенную для использования в смартфонах и планшетных компьютерах. Новая DRAM способна передавать данные на скорости 12.8 ГБ/с, что в 4 раза быстрее недавно анонсированной LPDDR2 DRAM (3.2 ГБ/с) и в 8 раз быстрее, чем DDR DRAM (1.6 ГБ/с). Кроме того, новая wide I/O DRAM потребляет на 87% меньше электрической энергии, чем DRAM, используемые сегодня в мобильных устройствах. Также немаловажно, что ее емкость составляет 4 ГБ по сравнению со стандартными на сегодняшний день 1 ГБ.
Для достижения таких показателей Samsung использовала 512-пиновую технологию, что позволило добиться существенного увеличения скорости по сравнению с 32-пиновой технологией предыдущего поколения. Нынешняя wide I/O DRAM использует до 1200 контактов для управления вводом/выводом данным, отправки команд и регулирования энергопотребления. Гигант электроники намерен начать коммерческие поставки wide I/O mobile DRAM, созданной по 20нм технологии в 2013 году.
© Варвара Бутковская, MForum.ru, по материалам intomobile.com
blog comments powered by Disqus
